Η σειρά NR252012 είναι μια μινιατούρα, εξαιρετικά{1}}χαμηλού-προφίλ SMD Power Inductor από τη γραμμή θωρακισμένης με μαγνητική-ρητίνη NR. Είναι σχεδιασμένο για εξαιρετική απόδοση χώρου, χωράει σε ένα μικροσκοπικό αποτύπωμα 2,7 mm × 2,35 mm με εξαιρετικά λεπτό μέγιστο ύψος 1,2 mm.
Αυτή η σειρά έχει σχεδιαστεί ειδικά για την εξάλειψη του θορύβου "βουητού" σε κινητές συσκευές, χρησιμοποιώντας μια κατασκευή με μαγνητική-θωράκιση ρητίνης για εξαιρετικά-χαμηλό ακουστικό θόρυβο. Ο σχεδιασμός του κλειστού μαγνητικού κυκλώματος μειώνει επίσης το EMI. Προσφέροντας ρεύμα κορεσμού (Isat) έως 3,28A, είναι η ιδανική λύση πηνίου χαμηλού προφίλ για φορητές εφαρμογές υψηλής-πυκνότητας και θορύβου-. Το NR252012 είναι ιδιαίτερα ανταγωνιστικό όσον αφορά την τιμή του επαγωγέα smd για εφαρμογές όγκου.
Βασικά Χαρακτηριστικά
Μινιατούρα ίχνους:2,7 mm × 2,35 mm.
Εξαιρετικά-Χαμηλό προφίλ:Μέγιστο ύψος 1,2 mm.
Εξαιρετικά-Χαμηλός θόρυβος:Κατασκευή με θωράκιση με μαγνητική ρητίνη-.
Χαμηλό EMI:Ο σχεδιασμός κλειστού μαγνητικού κυκλώματος μειώνει τη ροή διαρροής.
Υψηλή αξιοπιστία:Επιμετάλλωση σε πυρήνα φερρίτη για εξαιρετική αντοχή σε κραδασμούς.
Εξοικονόμηση ενέργειας:Καταλαμβάνει λιγότερα ακίνητα PCB και εξοικονομεί περισσότερη ενέργεια.
Συμβατό με RoHS.
Εφαρμογές
Η μινιατούρα, σχεδιασμός χαμηλού θορύβου του NR252012 το καθιστά τέλειο SMD Power Inductor για:
Επόμενης-γενιάς φορητές συσκευές με πολλαπλές λειτουργίες (π.χ. κινητή τηλεόραση)
1
>>
Φορητές συσκευές παιχνιδιού
2
>>
Προσωπικές συσκευές πολυμέσων
3
>>
Προσωπικά συστήματα πλοήγησης
4
>>
Μετατροπείς DC-DC υψηλής-πυκνότητας
5
Ηλεκτρικά Χαρακτηριστικά
|
Μέρος Αρ. |
Επαγωγή (L) (μH) |
Συνθήκη δοκιμής |
DCR (mΩ) (±30%) |
SRF (MHz) Ελάχ. |
Ρεύμα κορεσμού (Isat) (A) |
Ρεύμα βαθμολογίας θέρμανσης (Idc) (A) |
|
NR252012-R68N |
0.68 ± 30% |
1MHz, 0,25V |
57 |
140 |
3.28 |
1.95 |
|
NR252012-1R0N |
1.0 ± 30% |
1MHz, 0,25V |
70 |
110 |
2.59 |
1.93 |
|
NR252012-1R5M |
1.5 ± 20% |
1MHz, 0,25V |
113 |
97 |
2.24 |
1.40 |
|
NR252012-2R2M |
2.2 ± 20% |
1MHz, 0,25V |
167 |
69 |
1.85 |
1.15 |
|
NR252012-3R3M |
3.3 ± 20% |
1MHz, 0,25V |
203 |
62 |
1.61 |
1.04 |
|
NR252012-4R7M |
4.7 ± 20% |
1MHz, 0,25V |
291 |
69 |
1.12 |
0.84 |
|
NR252012-5R6M |
5.6 ± 20% |
1MHz, 0,25V |
414 |
38 |
1.11 |
0.73 |
|
NR252012-6R8M |
6.8 ± 20% |
1MHz, 0,25V |
447 |
38 |
0.98 |
0.69 |
|
NR252012-8R2M |
8.2 ± 20% |
1MHz, 0,25V |
507 |
36 |
0.98 |
0.65 |
|
NR252012-100M |
10 ± 20% |
1MHz, 0,25V |
531 |
34 |
0.79 |
0.62 |
|
NR252012-150M |
15 ± 20% |
1MHz, 0,25V |
1224 |
25 |
0.68 |
0.42 |
|
NR252012-220M |
22 ± 20% |
1MHz, 0,25V |
1520 |
20 |
0.53 |
0.38 |
Σημειώσεις:
Συνθήκες δοκιμής:Όλα τα δεδομένα δοκιμής αναφέρονται σε 25 μοίρες περιβάλλοντος.
Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας:-40 βαθμοί έως +125 βαθμοί (περιβάλλοντος συν αύξηση της θερμοκρασίας του εαυτού σας).
Isat (Ρεύμα κορεσμού):Ρεύμα συνεχούς ρεύματος (Α) που θα προκαλέσει πτώση του L0 περίπου 30%.
Idc (Ρεύμα θέρμανσης):Ρεύμα συνεχούς ρεύματος (A) που θα προκαλέσει κατά προσέγγιση ΔT 40 μοιρών.
Όριο θερμοκρασίας:Η θερμοκρασία του εξαρτήματος (περιβάλλοντος + αύξηση θερμοκρασίας) δεν πρέπει να υπερβαίνει τους 125 βαθμούς υπό τις χειρότερες συνθήκες λειτουργίας-.
Σχήμα και Διαστάσεις


Συσκευασία
Συσκευασία:Ανάγλυφη ταινία μεταφοράς
Διάμετρος μπομπίνας: 180 χλστ
Πλάτος ταινίας:8 χλστ
Ποσότητα/καρούλι:2000 τεμ
Προφίλ επαναφοράς συγκόλλησης
Συνθήκη προθέρμανσης:150~200 μοίρες / 60~120 sec.
Επιτρεπόμενος χρόνος άνω των 217 μοιρών:60~90 δευτερόλεπτα.
Μέγιστη θερμοκρασία:260 μοίρες
Μέγιστος χρόνος στη μέγιστη θερμοκρασία:10 δευτ.
Επιτρεπόμενος χρόνος εκ νέου ροής:2x μέγ
Πάστα συγκόλλησης: Sn/3,0Ag/0,5Cu
(Σημείωση: Αυτό το προφίλ προορίζεται μόνο για πιστοποίηση. Τα πραγματικά προφίλ πρέπει να βασίζονται στον συγκεκριμένο σχεδιασμό και τη διαδικασία της πλακέτας του πελάτη.)

Δημοφιλείς Ετικέτες: nr 252012 επαγωγείς, Κίνα nr 252012 επαγωγείς κατασκευαστές, προμηθευτές, εργοστάσιο